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MBR830	文件：1.40239 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830	文件：166.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C,0.25”(6.35mm)fromcasefor10seco	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBR830CT	文件：586.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free ●moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurge	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR830CT	文件：654.54 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR830CT	文件：1.44204 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830CT	文件：1.42665 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830CT	文件：1.45009 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830CT	文件：1.4383 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830MFS	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB830	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Gu	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
L830-C
制造商：
Pass & Seymour/Legrand
功能描述：
CONN 3W30A480V T/L

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更多L830-C供应商更新时间2025-5-28 15:22:00

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