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L6747A

High current MOSFET driver

文件:415.28 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6747ATR

High current MOSFET driver

文件:415.28 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6747A

High current MOSFET driver

• VFDFPN8 3x3 mm package\n• Preliminary overvoltage (OV) protection\n• Flexible gate-drive: 5 V to 12 V compatible\n• Adaptive dead-time management\n• Dual MOSFET driver for synchronous rectified converters• Integrated bootstrap diode\n• High driving current for fast external MOSFET switching\n• Ena;

ST

意法半导体

L6747A

Package:8-VDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6747ATR

Package:8-VDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    L6747A

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    5V ~ 12V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3.5A,-

  • 输入类型:

    反相

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-VFDFPN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN

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更多L6747A供应商 更新时间2025-10-13 15:35:00