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L6494LD	文件：451.51 Kbytes Page：18 Pages	High voltage high and low-side 2 A gate driver Features  Transient withstand voltage 600 V  dV/dt immunity ± 50 V/ns in full temperature range  Driver current capability: – 2 A source typ. at 25 °C – 2.5 A sink typ. at 25 °C  Short propagation delay: 85 ns  Switching times 25 ns rise/fall with 1 nF load  Integrated bootstrap dio 文件：451.51 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6494LDTR	文件：451.51 Kbytes Page：18 Pages	High voltage high and low-side 2 A gate driver Features  Transient withstand voltage 600 V  dV/dt immunity ± 50 V/ns in full temperature range  Driver current capability: – 2 A source typ. at 25 °C – 2.5 A sink typ. at 25 °C  Short propagation delay: 85 ns  Switching times 25 ns rise/fall with 1 nF load  Integrated bootstrap dio 文件：451.51 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6494LD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6494LDTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
L6494LD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.45V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2.5A
输入类型：
CMOS/TTL
上升/下降时间（典型值）：
25ns，25ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SO
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

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更多L6494LD供应商更新时间2026-1-22 15:18:00

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