L6399集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
L6399 |
参数属性 | L6399 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
功能描述 | High voltage high and low-side driver |
文件大小 |
345.39 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-23 20:39:00 |
L6399规格书详情
Features
High voltage rail up to 600 V
dV/dt immunity ± 50 V/ns over full temperature
range
Driver current capability:
– 290 mA source
– 430 mA sink
Switching times 75/35 ns rise/fall with 1 nF load
3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
Integrated bootstrap diode
Internal 320 ns deadtime
Interlocking function
Compact and simplified layout
Bill of material reduction
Flexible, easy and fast design
Description
The L6399 is a high voltage device manufactured
using BCD™ “offline” technology. It is a singlechip
half bridge gate driver for N-channel power
MOSFETs or IGBTs.
The high-side (floating) section is designed to
withstand a voltage rail up to 600 V. The logic
inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V
for easy microcontroller/DSP interfacing.
Applications
Home appliances
Industrial applications and drives
Motor drivers DC, AC, PMDC and PMAC
motors systems
HVAC
Factory automation
Power supply systems
Compressors
Fans
Lighting applications
L6399属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。意法半导体(ST)集团制造生产的L6399栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
- 产品编号:
L6399DTR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
1.1V,1.9V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
290mA,430mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
75ns,35ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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