L6221数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

厂商型号 |
L6221 |
参数属性 | L6221 封装/外壳为20-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC |
功能描述 | Four non-inverting inputs with enable |
封装外壳 | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-14 22:58:00 |
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L6221规格书详情
简介
L6221属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的L6221晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号:
L6221AD013TR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
4 NPN 达林顿(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
1.8A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
50V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.6V @ 1.8A
- 功率 - 最大值:
1W
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
20-SO
- 描述:
TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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