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L2SA1365ELT1G	文件：1.08744 Mbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor DESCRIPTION L2SA1365*LT1G is a mini packagesilicon PNP epitaxial transistor, designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ● Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.2V typ ● Excellent linearity of DC forward current gain. ● Super mini package for eas 文件：1.08744 Mbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
S-L2SA1365ELT1G	文件：1.08744 Mbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor DESCRIPTION L2SA1365*LT1G is a mini packagesilicon PNP epitaxial transistor, designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ● Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.2V typ ● Excellent linearity of DC forward current gain. ● Super mini package for eas 文件：1.08744 Mbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
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更多L2SA1365ELT1G供应商更新时间2025-11-26 15:08:00