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L2N7002DW1T1G-ES中文资料场效应管(MOSFET)数据手册ElecSuper规格书

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厂商型号

L2N7002DW1T1G-ES

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

ElecSuper Hunan Jingxin Microelectronics Technology Co., Ltd

中文名称

静芯微 湖南静芯微电子技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 8:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :L2N7002DW1T1G-ES

  • 生产厂家

    :ElecSuper

  • 漏源电压(Vdss)

    :60V

  • 连续漏极电流(Id)

    :300mA

  • 功率(Pd)

    :200mW

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :1.5V@250uA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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