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厂商型号

L2721

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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2

生产厂商

POLYFET

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2026-2-1 22:58:00

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L2721规格书详情

15.0 Watts Single Ended Package Style S02

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

产品属性

  • 型号:

    L2721

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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