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厂商型号

L225

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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2

生产厂商

POLYFET

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更新时间

2026-1-19 16:46:00

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General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

6.0 Watts Single Ended

Package Style SO8 -1

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

产品属性

  • 型号:

    L225

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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