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RFL4N15	文件：31.82 Kbytes Page：4 Pages	4A, 120V and 150V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive 文件：31.82 Kbytes 页数：4 Pages	INTERSIL	INTERSIL
KX-6640A	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA1548	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL
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