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KWN1FP50R12S2BM中文资料IGBT模块数据手册CAS-IGBT规格书
KWN1FP50R12S2BM规格书详情
描述 Description
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
低通态损耗(VCE=1.9V)
低关断损耗 (Eoff=3.2mJ)
高短路耐量(>10us)
应用领域 电机传动/伺服驱动器 等
技术参数
- 制造商编号
：KWN1FP50R12S2BM
- 生产厂家
：CAS-IGBT
- Package andCircuit
：L2-1(KT3)
- SwitchingSpeed
：Fast
- VCE(V)
：1200
- IC@100℃(A)
：50
- VCE(sat)@25℃(V)
：1.9
- tf @25℃(ns)
：140
- Eoff@25℃(mJ)
：3.2
- VF@25℃(V)
：1.9
- Application
：通用变频器
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