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KTD1898-Y-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT89	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1898	文件：45.75 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS1.6GHzSATCOMAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD1898isa28VClassCsiliconNPNtransistordesignedforINMARSATandother1.65GHzSATCOMapplications.Agoldmetallizedemitterballasteddiegeometryisemployedprovidinghighgainandefficiencywhileensuringlongtermreliabilityandruggednessundersevereoperatingc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1898C	文件：97.83 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component13X1COND a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED3WHITE 2)CableAssembly3ComponentsCabled a)Twists:4.8	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
AH1898	文件：517.11 Kbytes Page：11 Pages	OmnipolarOperation Description TheAH1898isamicropowermagneticrangeselectable(Bop/Brp)OmnipolarHalleffectswitchICwithinternalpullupandpulldowncapability,designedforportableandbatterypoweredconsumerequipmentsuchascellularphonesandportablePCs.Tosupportbatterypoweredequipmentan	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCP1898	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor DESCRIPTION TheBCP1898isdesignedforswitchingapplications.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
C1898	文件：111.32 Kbytes Page：1 Pages	5X7mmSMD,1.8V,LVCMOSClockOscillator	CRYSTEKCRYSTAL Crystek Corporation	CRYSTEKCRYSTAL
CM1898	文件：218.28 Kbytes Page：1 Pages	T-31/4MiniatureBayonetBase T-31/4MiniatureBayonetBase	CMLCML CML	CML
CM1898	文件：52.4 Kbytes Page：1 Pages	MiniatureBayonetBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CXA1898Q	文件：660.4 Kbytes Page：26 Pages	Recording/PlaybackEqualizerAmplifier Description TheCXA1898QisanICdevelopedforanalogsignalprocessingintaperecorders.Processingforboththerecordingandplaybacksystemsisachievedononechip. Features •RecordingequalizerGpandFpcanbeadjustedexternally. •Recordingmutefunction •AGC(AutomaticGainCont	SonySONY 索尼	Sony
ENA1898A	文件：177.57 Kbytes Page：27 Pages	8-bit1-chipMicrocontroller	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FTD1898	文件：176.43 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●ComplementtheFTB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD1898P	文件：176.43 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●ComplementtheFTB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD1898Q	文件：176.43 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●ComplementtheFTB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD1898R	文件：176.43 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●ComplementtheFTB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GM1898	文件：307.64 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM1898	文件：311.06 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
HED1898	文件：376.38 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HETD1898	文件：374.45 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
KTD1898	文件：2.01386 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
KTD1898	文件：496.12 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor FEATURES HighVCEO,VCEO=80V. HighIC,IC=1A(DC). GoodHFELinearity. LowVCE(sat). Complementthe2SB1260. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
KTD1898-Y-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 20mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT89

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