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LWTN-11B2SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
PZU11B2	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU11B2A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZU11B2ASLASHDG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZU11B2L	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZU11B2L	文件：133.1 Kbytes Page：13 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RKZ11B2KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ11B2KJ	文件：66.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorptionandStabilizer Features •EmbossTapingReelPack. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
KT11B2SM
功能描述：
SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
RoHS：
否
类别：
开关 >> 触摸
系列：
KT
标准包装：
2,000
系列：
LPH
电路：
SPST-NO
开关功能：
关-瞬时
触点额定电压：
0.05A @ 12VDC
触动器类型：
标准
安装类型：
通孔从引脚算起，致动器距离 PCB
的高度：
7.00mm
致动器方向：
顶部触动
端接类型：
PC 引脚
外形：
6.00mm x 6.00mm
发光：
不发光
发光电压：
-
发光类型，颜色：
-
操作力：
160gf
防护等级：
IP40
特点：
触摸反馈
包装：
带卷(TR)
触动器材料：
-
开关行程：
0.25mm
机械寿命：
100,000 次循环
工作温度：
-20°C ~ 70°C
其它名称：
1301.9303-ND486-1943-2

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