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MJD13003	文件：306.56 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.0V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitching ininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor 115and220Vswitc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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