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KST13中文资料NPN外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KST13

参数属性

KST13 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

功能描述

NPN外延硅晶体管
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-31 22:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    KST13

  • 别名:

    KST13三极管、KST13晶体管、KST13晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    MMBTA13,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.625

KST13规格书详情

描述 Description

KST13

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KST13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的KST13晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KST13

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    : 

  • IC Continuous (A)

    : 

  • V(BR)CEO Min (V)

    : 

  • VCE(sat) Max (V)

    : 

  • hFE Min (k)

    : 

  • hFE Max (k)

    : 

  • fT Min (MHz)

    : 

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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