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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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TO-92 |
13000 |
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KSR2008中文资料Alldatasheet PDF
更多KSR2008制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:PNP(SWITCHING APPLICATION)
KSR2008GSTA功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-P+R
- 性质:
开关管 (SW)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
AN1L4L,KRA2009,DTA144WN,DTA144WS,RN2009,UN111E,UN411E,2SA1422,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-20
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
.1
- wtest:
0