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KSP94	文件：70 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：70 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94	文件：292.78 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：292.78 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94BU	文件：292.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KSP94；Package：TO-92-3L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：292.78 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94TA	文件：292.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：KSP94；Package：TO-92-3L；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：292.78 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94_V01	文件：292.78 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：292.78 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94BU	文件：75.49 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：75.49 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94BU.	文件：292.78 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 文件：292.78 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSP94	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor • 高集电极-发射极电压： VCEO = -400V\n• 低集电极-发射极饱和电压\n• KSE44 的补充器件\n• 高压晶体管;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSP94BU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 0.3A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSP94TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 400V 0.3A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
KSP94
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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