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KSP62TF中文资料Alldatasheet PDF
更多KSP62TF功能描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
KSP62TF
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 10µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20000 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
125MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO92-3