| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
onsemiTO-92-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
5年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-92 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
11年
留言
|
sam |
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
|||
|
13年
留言
|
FSCTO-92 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
|
7年
留言
|
FSCTO-92 |
450 |
0710+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO92 |
300 |
07+ |
||||
|
3年
留言
|
FSCTO-92 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
|||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-92 |
30000 |
23+ |
||||
|
18年
留言
|
FAIRCHILDTO-92 |
377 |
2012+ROHS |
全新 发货1-2天 |
|||
|
17年
留言
|
FSCTO-92 |
8800 |
24+ |
||||
|
6年
留言
|
FSCTO-92 |
450 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
7年
留言
|
onsemiTO-92-3 |
7734 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
|
7年
留言
|
onsemiTO-92-3 |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
7年
留言
|
FAIRCHILDTO-92 |
5000 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
3年
留言
|
FAIRCHILDTO-92排带 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
|||
|
10年
留言
|
FSCNA |
2486 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-92 |
376 |
23+ |
||||
|
10年
留言
|
FAIRCHILDTO-92排带 |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
|
18年
留言
|
FAIRCHILDTO-92 |
30150 |
06+ |
全新 发货1-2天 |
KSP56采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSP56图片
KSP56BU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSP56制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
KSP56BU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSP56TA功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSP56TA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSP56TF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2




























