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KSP2907A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSP2907A

参数属性

KSP2907A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO92-3

功能描述

PNP外延硅晶体管
TRANS PNP 60V 0.6A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:04:00

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KSP2907A规格书详情

特性 Features

•集电极-发射极电压: VCEO= 60V
•集电极功耗: PC(最大值)= 625mW
•后缀“-C”表示中心集电极(1.发射器 2.集电极 3.基极)
•无后缀“-C”表示侧集电极(1.发射器 2.集电极 3.基极)
•产品型号PN2907A

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSP2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSP2907A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSP2907A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.6

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2.6

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :300

  • fT Min (MHz)

    :200

  • PTM Max (W)

    :0.625

  • Package Type

    :TO-92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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