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KSM32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF32N20C	文件：2.76246 Mbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTV32N20E	文件：298.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV32N20E	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesigna	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW32N20E	文件：205.3 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET32AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.075OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW32N20E	文件：326.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW32N20E	文件：89.11 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET32Amps,200VoltsN-ChannelTO-247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTW32N20EG	文件：89.11 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET32Amps,200VoltsN-ChannelTO-247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SDA32N20	文件：691.01 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYDIODEARRAY DEVICEDESCRIPTION TheSDA32SchottkyBarrierDiodeArrayisdesignedtoreducereflectionnoiseonhighspeedparalleldatalines. Thedevicehelpssuppresstransientscausedbytransmissionlinereflections,crosstalkandswitchingnoise. TheSDA32consistsofanarrayof16highspeedSchot	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
SLF32N20C	文件：468.5 Kbytes Page：7 Pages	200VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI

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