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KSH41C-251	文件：296.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A APPLICATIONS · General purpose amplifier · Low speed switching applications 文件：296.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD41C-251	文件：297.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A ·Complement to Type MJD42C APPLICATIONS · Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications 文件：297.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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KSLCCBL1FB4G3A	文件：0 bytes Page：0 Pages	KINGSTON BGA	KINGSTON 金士顿上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	KINGSTON
KSLCGBL2SA5H2A	文件：0 bytes Page：0 Pages	KINGSTON	KINGSTON 金士顿上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	KINGSTON

更多KSH41C-251供应商更新时间2025-10-6 14:04:00