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深圳市威尔健半导体有限公司

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NEXPERIA/安世SOD123F

69820

23+

终端可以免费供样,支持BOM配单!

深圳市胜彬电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO252

8000

22+

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原装正品支持实单

深圳市河锋鑫科技有限公司

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FAIRCHILDRCHILDSOT252

42560

2022+

原厂代理 终端免费提供样品

深圳市一线半导体有限公司

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FAIRCHILDTO-252(DPAK)

8866

24+

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童

13000

23+

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市安富世纪电子有限公司

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FAIRCHILDRCHILDSOT252

8000

23+

只做原装现货

深圳市佳芯扬电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK)

15000

26+

深圳市宇集芯电子有限公司

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FAIRCTO-252

90000

26+

一级代理商进口原装现货、价格合理

深圳市亿顺芯科技有限公司

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ADTO252

3000

25+

原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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FAIRCTO-252(DPAK)

16800

26+

原装现货

深圳市赛美科科技有限公司

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FSCTO252

68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市威雅利发展有限公司

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N/ATSSOP-14

50000

25+

原厂原包装,终端BOM表可配单

深圳市晨豪科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-252

89630

23+

当天发货全新原装现货

深圳市宸远科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO252

8000

26+

深圳市莱克讯科技有限公司

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    深圳市福田区振兴西路华匀大厦1栋5楼B08

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FSCDPAK

12008

最新

原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

深圳市华睿芯科技有限公司

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FAITO252

20000

24+

全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!

深圳市中远芯科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO252

560

10+

原装现货

千层芯半导体(深圳)有限公司

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FAIRCHILD原厂原封

6523

24+

进口原装公司百分百现货可出样品

深圳市凌旭科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO252

1709

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深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-251-3

78800

24+25+/26+27+

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KSH3055-I制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH3055TF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSH3055TM功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSH30C制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

KSH30CITU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSH30CTF功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSH30TF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2