| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
155672 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
4950 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
03+ |
只做原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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SECOS-喜可士TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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WSTTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8000 |
23+ |
全新原装,现货热卖 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SEC/上优 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂TO220 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FSCDIPSMD |
20000 |
07/08+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SECTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市海天鸿电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
7500 |
1645+ |
只做原装进口,假一罚十 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAS正品TO-220 |
18562 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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WSTTO-220 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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SEC/上优TO-220 |
95 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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SECTO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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SEC/上优TO-220 |
95 |
05+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
6430 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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KSE13007中文资料Alldatasheet PDF
更多KSE13007制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application
KSE13007F制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application
KSE13007FH1SMTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007FH2SMTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007FSM功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007FSMTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007H1SM功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007H1SMTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007H2SM功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13007H2SMTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
