选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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FAIRCHILto220/to126 |
6000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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FSCTO-126 |
9986 |
20+ |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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ONSEMITO126F |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
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FSCTO126 |
88 |
10+ |
只做原装 假一赔万 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市益百分电子有限公司10年
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FSC900000 |
2012 |
TO-220 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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ONSEMINA |
11520 |
2021 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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OnsemiTO-126F |
5551 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
15000 |
23+ |
代理原装现货,价格优势 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHITO-126 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
15000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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原厂品牌原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
135 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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FSOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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KSE13003H2ASTU价格
KSE13003H2ASTU价格:¥0.8659品牌:Fairchild
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KSE13003
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更多KSE13003制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
KSE13003_08制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
KSE13003AS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003-AS制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
KSE13003ASTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003H1AS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003H1ASTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003H2AS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003H2ASTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSE13003H3ASTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 700V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2