KSD560中文资料NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE)数据手册Samsung规格书

厂商型号 |
KSD560 |
参数属性 | KSD560 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3 |
功能描述 | NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE) |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Samsung Samsung semiconductor |
中文名称 | 三星 三星半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号:
KSD560R
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 3mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 3A,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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