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MMBT1616A	文件：2.21258 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier ●Mediumspeedswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT1616A	文件：1.32605 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier. ●Mediumspeedswitching. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT1616A-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT1616AG	文件：937.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifier. ●Mediumspeedswitching. ●Non-Halogen APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT1616A-G	文件：917.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand1AIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Se	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT1616A-G-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT1616A-L	文件：917.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand1AIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Se	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT1616A-L-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT1616A-Y	文件：917.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand1AIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Se	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT1616A-Y-C	文件：220.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●AudioFrequencyPowerAmplifier ●MediumSpeedSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
KSD1616A-Y-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
160MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS NPN 60V 1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KSD1616A-Y-AP供应商更新时间2025-7-22 15:01:00

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