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KSD1616A-G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

KSD1616A-G
厂商型号

KSD1616A-G

参数属性

KSD1616A-G 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 120V 1A TO92

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Transistors
TRANS NPN 120V 1A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

233.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Micro Commercial Components
企业简称

MCC美微科

中文名称

美微科半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-2 17:38:00

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KSD1616A-G规格书详情

KSD1616A-G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美微科半导体股份有限公司制造生产的KSD1616A-G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Features

• Halogen free available upon request by adding suffix -HF

• Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)

• Audio frequency power amplifier & medium speed switching

• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

• Moisure Sensitivity Level 1

• Marking:D1616 X

产品属性

更多
  • 产品编号:

    KSD1616A-G-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 50mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92

  • 描述:

    TRANS NPN 120V 1A TO92

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