| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
19年
留言
|
FCS |
1800 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
|||
|
12年
留言
|
FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
17年
留言
|
FAIRCHILDTO-220F |
8866 |
24+ |
||||
|
12年
留言
|
FSCTO-220F |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
|
FAIRCHILD/仙童TO-220F |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
|
14年
留言
|
FAIRCTO-220F |
16800 |
26+ |
原装现货 |
|||
|
5年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
1年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220F |
15000 |
26+ |
||||
|
6年
留言
|
NEXPERIA/安世SOD964 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
|
10年
留言
|
FSCKSD1273QYDTU |
13528 |
25+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
|
8年
留言
|
FSCTO-220F |
2400 |
24+ |
原装进口现货/只做原装 |
|||
|
7年
留言
|
ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
14年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO220F |
6489 |
2403+ |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
|||
|
13年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220F |
54000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
|
18年
留言
|
FAIRCHILD原厂原装 |
4051 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
12年
留言
|
FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
17年
留言
|
FSC |
66300 |
24+ |
||||
|
13年
留言
|
FAIRCHITO-220F |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
|
13年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220F |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
12年
留言
|
FAIRCHITO220F |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
KSD1273采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
KSD1273图片
KSD1273PTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1273制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High hFE, AF Power Amplifier
KSD1273OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273P功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273PTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273PTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273QTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273QYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2






















