| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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FCS |
1800 |
06+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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FSCTO-220F |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220F |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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FSCTO-220F |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
13000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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FSCTO-220F |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-220F |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NEXPERIA/安世SOD964 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220F |
57550 |
2022+ |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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FAIRCHITO220F |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILDTO-220F |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
1709 |
21+ |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
KSD1273采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD1273图片
KSD1273PTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD1273制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High hFE, AF Power Amplifier
KSD1273OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273P功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273PTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273PTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSD1273Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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KSD1273QYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
