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FCS

1800

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDTO-TO-220F

12300

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市一线半导体有限公司

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FAIRCHILDTO-220F

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FSCTO-220F

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FAIRCHILD/仙童TO-220F

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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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FAIRCTO-220F

16800

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原装现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220F

6000

22+

十年配单,只做原装

深圳市佳芯扬电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220F

15000

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深圳市威尔健半导体有限公司

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NEXPERIA/安世SOD964

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终端可以免费供样,支持BOM配单!

深圳市振宏微科技有限公司

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FSCKSD1273QYDTU

13528

25+

振宏微原装正品,假一罚百

千层芯半导体(深圳)有限公司

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FSCTO-220F

2400

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原装进口现货/只做原装

深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-220-3

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24+25+/26+27+

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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220F

6489

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原装现货热卖!十年芯路!坚持!

深圳市东来宝电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220F

54000

24+

郑重承诺只做原装进口现货

芯有半导体(深圳)有限公司

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FAIRCHILD原厂原装

4051

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FAIRCHILDTO-TO-220

12300

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FSC

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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FAIRCHITO-220F

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市宇创芯科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220F

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深圳诚思涵科技有限公司

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FAIRCHITO220F

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KSD1273制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:High hFE, AF Power Amplifier

KSD1273OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273P功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273PTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273PTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273QTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD1273QYDTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2