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KSC3073

Power Amplifier Application

Power Amplifier Application • Complement to KSA1243

文件:40.87 Kbytes 页数:4 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSC3073

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 30V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 0.8V(Max) @IC= 2A · Complement to 2SA1243 APPLICATIONS · Low frequency amplifier

文件:296.13 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

KSC3073

Power Amplifier Application

ONSEMI

安森美半导体

KSC3073OTU

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 3A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

KSC3073YTU

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 3A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    KSC3073

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多KSC3073供应商 更新时间2026-1-22 11:04:00