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更多KSC2786YTA功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
KSC2786YTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
KSC2786YTA
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 频率 - 跃迁:
600MHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3dB ~ 5dB @ 100MHz
- 增益:
18dB ~ 22dB
- 功率 - 最大值:
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,6V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
20mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 短体
- 供应商器件封装:
TO-92S
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S