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详细参数

  • 型号:

    KSC2669YTA_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRC
6000
面议
19
DIP/SMD
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恩XP
23+
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
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SMG
05+
原厂原装
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三星
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SAMSUNG/三星
23+
TO-126F
30000
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三星
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TO-126
6896
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
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SAMSUNG/三星
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TO-126
10000
原装现货假一罚十
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SAMSUNG/三星
TO-126F
22+
6000
十年配单,只做原装
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SAMSUNG/三星
97+
TO-126F
245
询价
SEC
25+
TR-TO126ECBNPNO10020
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
更多KSC2669YTA_Q供应商 更新时间2025-11-3 16:32:00