| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂TO-92 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童ECBTYPE |
880000 |
2003 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
399995 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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FSCKSC2001YTA |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
3685 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂TO92 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FSCTO-92 |
24000 |
04+ |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDNA |
8600 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
35000 |
22+ |
原装现货,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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N/ASMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILTO92 |
2789 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA |
399995 |
23+ |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDECBTYPE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILD原厂原装 |
1491 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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利广微科技（深圳)有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR标准封装 |
57218 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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KSC2001图片
KSC2001YTA中文资料Alldatasheet PDF
更多KSC2001GBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001GTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001GTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001OBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001OTA功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
KSC2001YBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001YTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
KSC2001YTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
