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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

11543

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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原厂TO-92

5000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

11491

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样件支持,可原厂排单订货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

11543

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市正纳电子有限公司

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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA

399995

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电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

13000

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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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FAIRCHILTO92

2789

25+

原装优势!绝对公司现货!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA

9850

2450+

只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市星宇佳科技有限公司

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FAIRCHILDSEMICONDUCTORNA

399995

原装现货支持BOM配单服务

深圳市明嘉莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童ECBTYPE

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市振宏微科技有限公司

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FSCKSC2001YTA

13528

23+

振宏微原装正品,假一罚百

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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FAIRCHILDSEMICONDUCTORN/A

399995

22+

现货,原厂原装假一罚十!

芯有半导体(深圳)有限公司

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FAIRCHILD原厂原装

1491

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDTO92

3685

2025+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市一线半导体有限公司

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FSCTO-92

24000

24+

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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原厂TO92

5000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市赛美科科技有限公司

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    朱先生 雷小姐

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FAIRCHILDECBTYPE

8560

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

艾睿(深圳)半导体有限公司

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N/ASMD

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

399995

23+

原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存

上海市鑫鸿达电子

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SAMSUNG/三星

700

2022+

全新原装 货期两周

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KSC2001GBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001GTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001GTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001OBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001OTA功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

KSC2001YBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001YTA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSC2001YTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2