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KSB834Y	文件：75.87 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementtoKSD880	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSB834Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KSB834YTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LMV834MT	文件：1.07316 Mbytes Page：20 Pages	3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMV834MT	文件：1.39112 Mbytes Page：27 Pages	LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMV834MT/NOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

产品属性

产品编号：
KSB834Y
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
9MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS PNP 60V 3A TO220-3

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更多KSB834Y供应商更新时间2025-7-22 16:29:00

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