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KSA642CGBU	文件：39.23 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSD227 • Collector Power Dissipation : PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：39.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSA642CGBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 0.3A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSA642CYBU	文件：39.23 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSD227 • Collector Power Dissipation : PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：39.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSA642CYTA	文件：39.23 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSD227 • Collector Power Dissipation : PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：39.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSA642G	文件：39.23 Kbytes Page：4 Pages	Low Frequency Power Amplifier Low Frequency Power Amplifier • Complement to KSD227 • Collector Power Dissipation : PC = 400mW • Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) 文件：39.23 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

产品属性

产品编号：
KSA642CGBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 50mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 25V 0.3A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	KSA642CGBU	onsemi	25+	TO-92-3	18798	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	KSA642CGBU	ON Semiconductor	2022+	TO-92-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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