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KSA1175中文资料PDF规格书

KSA1175
厂商型号

KSA1175

参数属性

KSA1175 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 短体;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.15A TO92S

功能描述

PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER)

文件大小

78.75 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Samsung Group
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-24 15:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSA1175

  • 别名:

    KSA1175三极管、KSA1175晶体管、KSA1175晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_静噪放大 (LN)_宽频带放大

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    0.15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SA728,2SA1048,2SA1174,2SA1206,2SA1252,2SA1266,2SA1309,2SA1317,2SA1323,2SA1337,2SA1350,2SA1367,2SA1374,2SA1453,2SA1547,2AS1561,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-57

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    .15

  • wtest:

    0

KSA1175规格书详情

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

• Complement to KSC2785

• Collector-Base Voltage VCBO= -60V

产品属性

  • 产品编号:

    KSA1175GTA

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 短体

  • 供应商器件封装:

    TO-92S

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.15A TO92S

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
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