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LD1010D	文件：662.62 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceN-ChannelPOWERJFETwithPNDiodes Description ThePowerJFETtransistorfromLovoltechisadevicethatpresentsaLowRdsonallowingforimprovedefficienciesinDC-DCswitchingapplications.Thedeviceisdesignedwithalowthresholdsuchthatdriverscanoperateat5V,whichreducesthedriverpowerdissipationandincrease	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LD1010DA	文件：605.6 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceN-ChannelPOWERJFETwithPNDiode [Lovoltech,Inc.] Description ThePowerJFETtransistorfromLovoltechisadevicethatpresentsaLowRdsonallowingforimprovedefficienciesinDC-DCswitchingapplications.Thedeviceisdesignedwithalowthresholdsuchthatdriverscanoperateat5V,whichreducesthedriverpowerdis	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
LDB1010	文件：57.91 Kbytes Page：2 Pages	WIREWAY10x10-N1Paint-10ftlg	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
LDW1010	文件：69.21 Kbytes Page：3 Pages	ReedSwitchspecifications Features •TheLDW-1010isaultrasmallsingle-contactreed•switchdesignedforgeneralcontrolofmedium-levelloadsless than70V. Applications •Automotiveelectronicdevices •RotationandspeedMonitoring •DoorandWindowContactsforSecuritySystem •Communicationequipment •Measurem	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
LF1010FPL	文件：1.10853 Mbytes Page：3 Pages	10.0AmperesInsulatedSingleGlassPassivatedProcessAvalancheRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
LF1010-S	文件：1.02695 Mbytes Page：7 Pages	Bipolarandinsulatedcurrentmeasurementupto2.7kA	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
LMA1010	文件：192.7 Kbytes Page：7 Pages	16x16-bitMultiplier-Accumulator DESCRIPTION TheLMA1010andLMA2010arehigh-speed,lowpower16-bitmultiplier-accumulators.TheLMA1010andLMA2010arefunctionallyidentical;theydifferonlyinpackaging.FullmilitaryambienttemperaturerangeoperationisachievedwithadvancedCMOStechnology. FEATURES ❑20nsMultiply	LODEV LOGIC Devices Incorporated	LODEV
LPM1010	文件：561.81 Kbytes Page：8 Pages	MiniatureSMDPowerInductor Features: •Wirewoundofferritecoreminiaturechipinductor •LPM1310,1310-HPand1813arehighQvalueathighfrequencyandlowDCresistance •LPM1310(C)-HPand1813(C)arelowDCresistance,highcurrentcapacityand highimpedancecharacteristics. Theyareexcellentforusingasacho	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
LPN1010C	文件：800.21 Kbytes Page：7 Pages	EnhancementModeN-ChannelPowerMOSFET	LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微电子有限公司	LANDP
LT1010	文件：1.17789 Mbytes Page：19 Pages	Fast-150mAPowerBuffer	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

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产品属性

产品编号：
KSA1010Y
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 3A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS PNP 100V 7A TO220-3

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