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MMBTRC246SS	文件：342.2 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forhighcurrentswitching,interfacecircuitanddriver circuitapplication. ○WithBuilt-inBiasResistors ○SimplifyCircuitDesign ○ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ○HighOutputCurrent:300mA	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRC246SS	文件：3.23698 Mbytes Page：6 Pages	NPNDigitalTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MS246A	文件：69.25 Kbytes Page：2 Pages	0.43DUALDIGITNUMERICDISPLAYS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MS246A-B	文件：69.25 Kbytes Page：2 Pages	0.43DUALDIGITNUMERICDISPLAYS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MS246C-B	文件：69.25 Kbytes Page：2 Pages	0.43DUALDIGITNUMERICDISPLAYS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
NEM-A246	文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	NetworkExpansionModule	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
NEM-C246	文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	NetworkExpansionModule	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
NEM-L246	文件：148.01 Kbytes Page：3 Pages	NetworkExpansionModule	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
NTE246	文件：25.07 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsDarlingtonPowerAmplifier Description: TheNTE245(NPN)andNTE246(PNP)aresiliconcomplementaryDarlingtontransistorsinaTO3typecasedesignedforuseasoutputdevicesingeneralpurposeamplifierapplications. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=4000Typ@IC=5A •MonolithicConstructionwithB	NTE NTE Electronics	NTE
PFB246	文件：145.17 Kbytes Page：1 Pages	PoziCountersunkandPoziPanZincPlatedScrews	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
KRC246S
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KRC246S供应商更新时间2025-7-23 14:14:00

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