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KP8N60D	文件：393.33 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR GeneralDescription ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,I	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KP8N60F	文件：394.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Suitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmode Powersupplies •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.58Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KP8N60F	文件：390.11 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,I	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPS8N60D	文件：388.81 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPS8N60F	文件：390.92 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM8N60	文件：678.75 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMB8N60	文件：693.25 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF8N60	文件：748.06 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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