KP11N60F数据手册KEC中文资料规格书
KP11N60F规格书详情
描述 Description
General Description
This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies.FEATURES
• VDSS=600V, ID=11A
• Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)(Max)=0.38Ω @VGS=10V
• Qg(typ.)= 20nC
特性 Features
• VDSS=600V, ID=11A
• Drain-Source ON Resistance :
RDS(ON)(Max)=0.38Ω @VGS=10V
• Qg(typ.)= 20nC
技术参数
- 型号:
KP11N60F
- 制造商:
KEC
- 制造商全称:
KEC(Korea Electronics)
- 功能描述:
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GAUSSTEK/丰晶 |
23+ |
DIP |
18000 |
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询价 | ||
KEC |
23+ |
TO220F |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
KEC |
22+ |
TO220F |
12000 |
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KEC/开益禧 |
2450+ |
TO220F |
8850 |
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KEC |
24+ |
TO220F |
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KEC |
2022+ |
TO-220F |
50000 |
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KEC |
24+ |
TO220F |
990000 |
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KEC |
24+ |
TO-220F |
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KEC |
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KEC |
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