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KND3306B数据手册KIA中文资料规格书

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厂商型号

KND3306B

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

KIA KIA Semiconductor Technology

中文名称

可易亚半导体 广东可易亚半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:30:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :KND3306B

  • 生产厂家

    :KIA

  • 漏源电压(Vdss)

    :60V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :8.5 mΩ @ 40A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :84.5W(Tc)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KIA
20+
TO-252-2(DPAK)
2500
询价
23+
65480
询价
KIA
23+
TO252
12500
大量原装正品现货
询价
KIA
23+
TO-252-2
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
KIA 半导体
2447
TO-252-2(DPAK)
105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
KIA
2021
TO-252
70000
KIA授权分销商 原厂技术支持
询价
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
询价
KIA/可易亚
24+
TO-252
60000
询价
KIA
15+
TO252
29
原装
询价
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价