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KMB3D5PS30QA	文件：469.13 Kbytes Page：5 Pages	SBD and P-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION • It is particularly suited for switching such as DC/DC Converters. • It is driven as low as 4.5V and fast switching, high efficiency. FEATURES • VDSS=-30V, ID=-3.5A. • Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=85m (Max.) @ VGS=-10V RDS(ON)=180m (Max.) @ VGS=-4.5V 文件：469.13 Kbytes 页数：5 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
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KMDD60018M-B320	文件：0 bytes Page：0 Pages	Samsung BGA	Samsung 三星上传：深圳市冠亿通科技有限公司	Samsung
KMDH6001DA-B422T02	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG BGA	Samsung 三星上传：深圳市赛特兴科技有限公司	Samsung
KMDH6001DM-B422	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG BGA	Samsung 三星上传：深圳市赛特兴科技有限公司	Samsung

详细参数

型号：
KMB3D5PS30QA
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
SBD and P-Ch Trench MOSFET

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