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KM1201RRWCQ	文件：234.43 Kbytes Page：4 Pages	Subminiature Pushbutton Switches	ITT ITT Industries	ITT
KM1201RRWCQE	文件：234.43 Kbytes Page：4 Pages	Subminiature Pushbutton Switches	ITT ITT Industries	ITT
KSA1201	文件：40.21 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifier PowerAmplifier •Collector-EmitterVoltage:VCEO=-120V •fT=120MHz •CollectorPowerDissipationPC=1~2W:MountedonCeramicBoard •ComplementtoKSC2881	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSA1201	文件：430.41 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSA1201	文件：49.98 Kbytes Page：1 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=-120V ●fT=120MHz ●CollectorPowerDissipationPC=1to2W:MountedonCeramicBoard	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSR1201	文件：36.58 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication 1.Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit 2.BuiltinbiasResistor(R1=4.7KΩ,R2=4.7KΩ) 3.ComplementtoKSR2201	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSR1201	文件：60.13 Kbytes Page：2 Pages	NPN(SWITCHINGAPPLICATION) 1.Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit 2.BuiltinbiasResistor(R1=4.7KΩ,R2=4.7KΩ) 3.ComplementtoKSR2201	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
LA1201	文件：402.29 Kbytes Page：10 Pages	FM/AMIF	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LB1201AB	文件：286.06 Kbytes Page：14 Pages	DUALFORWARD-CONDUCTINGP-GATETHYRISTORSPROGRAMMABLEOVERVOLTAGEPROTECTORS description TheTISP61060isadualforward-conductingbufferedp-gateovervoltageprotector.ItisdesignedtoprotectmonolithicSLICs(SubscriberLineInterfaceCircuits),againstovervoltagesonthetelephonelinecausedbylightning,a.c.powercontactandinduction.TheTISP61060limitsvol	POINN Power Innovations Ltd	POINN
LB1201AB	文件：649.28 Kbytes Page：15 Pages	LH1263E&MSignalingCircuit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

详细参数

型号：
KM1201RRWCQ
制造商：
ITT
制造商全称：
ITT Industries
功能描述：
Subminiature Pushbutton Switches

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