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KIA4N60P中文资料MOS(场效应管)数据手册KIA规格书

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厂商型号

KIA4N60P

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

KIA KIA Semiconductor Technology

中文名称

可易亚半导体 广东可易亚半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 14:06:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :KIA4N60P

  • 生产厂家

    :KIA

  • 漏源电压(Vdss)

    :600V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :2.7 Ω @ 2A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :93W(Tc)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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