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LR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：496.49 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LR024N	文件：1.04325 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LR024N	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：785.8 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
LU024	文件：960.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024N	文件：960.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024Z	文件：960.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LUC-024SXXXDSP	文件：476.35 Kbytes Page：10 Pages	24WConstantCurrentIP20Driver Features 0-10VDimmable(CompatiblewithPassiveDimmers) ConstantCurrentOutput HighEfficiency ActivePowerFactorCorrection All-AroundProtection:OVP,SCPandOpenLamp Protection Class2&SELVOutput	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
KGC-024
制造商：
Farnell/Pro-Power
功能描述：
EDGING GROMMET BUSHING 2.4MM 10M
制造商：
pro-power
功能描述：
EDGING GROMMET, BUSHING, 2.4MM, 10M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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