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MA10100	文件：77.77 Kbytes Page：3 Pages	Siliconepitaxialplanartype Siliconepitaxialplanartype Forswitchingcircuits ■Features •Highbreakdownvoltage:VR=200V •SmallterminalcapacitanceCt	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAT10100	文件：460.03 Kbytes Page：3 Pages	AttenuatorDIE	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MBR10100	文件：83.3 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS10AMPERES60to100VOLTS ...usingtheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.These state–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •Guard–RingforStressProtection •LowForwardVoltage •150°COperatingJunctionTemperature •Guara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBR10100	文件：56.31 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers FEATURES -Lowpowerloss,highefficiency -Guardringforovervoltageprotection -Highsurgecurrentcapability -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10100	文件：125.77 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSchottkyRectifiers FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10100	文件：58.09 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers ThisseriesofSWITCHMODEpowerrectifiersusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR10100	文件：103.27 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURE •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling.andPolarityProtectionA	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR10100	文件：81.77 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR10100	文件：264.67 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10100	文件：524.97 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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