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RMP12N60TI	文件：1.76538 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SCT12N60FD	文件：367.59 Kbytes Page：6 Pages	Triac ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelay. Features RepetitivePeakOff-StateVoltage:VDRM=600V R.M.SOn-StateCurrent:IT(RMS)=12A Gat	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT12N60P	文件：397.58 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SFF12N60	文件：99.52 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIF12N60C	文件：300.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SIHA12N60E	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHA12N60E	文件：181.54 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA12N60E	文件：1.03346 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHB12N60E	文件：217.1 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB12N60E	文件：207.91 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
KF12N60F
制造商：
KEC
制造商全称：
KEC(Korea Electronics)
功能描述：
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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