100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Features ● 34 A, 100 V. RDS(ON) = 32mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 35mΩ @ VGS = 6 V ● Low gate charge (57 nC typical) Fast switching speed ● High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ● High power and current handling capability

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KEXIN

科信电子

N-MOSFETs

Kexin

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Miniature Step-Down DC-DC Converter for Ultra Low Voltage Circuits

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NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

Miniature Step-Down DC-DC Converter for Ultra Low Voltage Circuits

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