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NCE3400A	文件：1.025859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE3400AY	文件：284.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3400E	文件：243.55 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3400Eusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.ItisESD protested. GeneralFeatures ●VDS=30	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3400X	文件：303.47 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3400Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.1A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3400XY	文件：283.15 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3400XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=5.1A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NF3400C-UQA	文件：283 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line480VACLargecurrent,smallfootprint(LowLeakage)	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3400C-VQ	文件：335.43 Kbytes Page：6 Pages	3-phase3-line480VACAvailable50A-1000ALargecurrent&Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3400C-VZ	文件：361.91 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VAC	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3400C-VZF	文件：326.46 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VACWideband&Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NJ3400	文件：1.70533 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrentcapability APPLICATION Load/PowerSwitching InterfacingSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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