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LTC4009	文件：433.85 Kbytes Page：40 Pages	HighVoltageHighCurrentControllerforBatteryChargingandPowerManagement	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4009	文件：305.46 Kbytes Page：28 Pages	HighEfficiency,Multi-ChemistryBatteryCharger	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4009CUF-PBF	文件：305.46 Kbytes Page：28 Pages	HighEfficiency,Multi-ChemistryBatteryCharger	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4009CUF-TRPBF	文件：305.46 Kbytes Page：28 Pages	HighEfficiency,Multi-ChemistryBatteryCharger	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MCH4009	文件：476.42 Kbytes Page：15 Pages	UHFtoXBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH4009	文件：372.93 Kbytes Page：15 Pages	RFTransistor3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 RFTransistor 3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 Features •Low-noiseuse:NF=1.1dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=25GHztyp(VCE=3V) •Lowoperatingvoltage •Highgain:\|S21e\|2=17dBtyp(f=2GHz) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH4009	文件：72.25 Kbytes Page：13 Pages	UHFtoXBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Low-noiseuse:NF=1.1dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=25GHztyp(VCE=3V) •Lowoperatingvoltage •Highgain:\|S21e\|2=17dBtyp(f=2GHz) •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH4009	文件：372.93 Kbytes Page：15 Pages	RFTransistor3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 RFTransistor 3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 Features •Low-noiseuse:NF=1.1dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=25GHztyp(VCE=3V) •Lowoperatingvoltage •Highgain:\|S21e\|2=17dBtyp(f=2GHz) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH4009-TL-H	文件：372.93 Kbytes Page：15 Pages	RFTransistor3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 RFTransistor 3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 Features •Low-noiseuse:NF=1.1dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=25GHztyp(VCE=3V) •Lowoperatingvoltage •Highgain:\|S21e\|2=17dBtyp(f=2GHz) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH4009-TL-H	文件：372.93 Kbytes Page：15 Pages	RFTransistor3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 RFTransistor 3.5V,40mA,fT=25GHz,NPNSingleMCPH4 Features •Low-noiseuse:NF=1.1dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=25GHztyp(VCE=3V) •Lowoperatingvoltage •Highgain:\|S21e\|2=17dBtyp(f=2GHz) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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